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该设计算法提出的芯片布局看上去似乎与众不同.想象一下,被硅蚀刻出的被通道隔开的纳米台面.流经该通道的电子沿着硅丝绞线运行,在关键位置刺穿峡谷壁

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每次激光脉冲(每秒做100,000次)都会使一束光子撞击一束电子,使它们向前加速.在斯坦福大学的团队成员制作的真空密封硅芯片表面上,所有这些事情的发生都小于头发的宽度.

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研究人员希望将电子加速到光速的94%,即一百万电子伏(1MeV),以产生足以用于研究或医学目的的粒子流

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该原型芯片仅提供单级加速,并且电子流将必须通过这些级中的大约1,000级才能达到1MeV.Vuckovic说,但这似乎并不令人望而生畏,因为该原型片上加速器是完全集成电路.这意味着创建加速所需的所有关键功能都直接内置在芯片中,并且增加其功能应该相当简单.